大家好，今天我們來談談 MOSFET 裡面一個很重要的參數 --米勒電容。

一般來說，電晶體由於製造工藝的問題，和本身 p-n 接面的特性，會產生一些寄生電容 (parasitic capacitance)。我們有時候會看到如下參數:

Ciss (輸入電容) = Cgs + Cgd
Coss (輸出電容) = Cds + Cgd
Crss (反饋電容) = Cgd

首先，我們來介紹如何量測這些電容: Ciss 電容，它是將汲極 (drain) 和 源極 (soruce) 進行短接，用交流信號，測得閘極 (gate) 和 源極 (source) 之間的電容 (Cgs)。而 Cgd，也就是本文的重點--米勒電容，它是在源極 (source) 接地的狀況下，測得的汲極 (drain) 和閘極 (gate) 之間的電容。

如圖所示，當 12V 進來，閘極電壓(VG)慢慢爬升，同時也對 Cgs 進行充電，當閘極電壓 (VG) 上升至電晶體的臨界電壓 (threshold voltage, Vth)時，此時，電晶體開啟，因此，換句話說，Cgs 會造成電晶體開啟的延時，相反地，它對於電晶體的關閉，也會造成延時作用。可以對應到下圖的第一階段 (t0~t1,t1~t2)。

當電晶體開啟後，此時，input 端 12V 將對 Cgd 開始充電，因此會造成閘極電壓 (VG) 短暫的停滯，直到米勒電容 (Cgd) 充滿電為止，因為這個停滯是由於米勒電容 (Cgd) 所造成，因此，這個停滯區也稱為"米勒平台"，對應到上圖的 t2~t3。

當 Cgd (米勒電容) 充飽之後，input 端又開始對 Cgs 進行充電，可以對應到上圖的第三階段 (t3~t4)。因此，VG 又開始緩慢上升，直到飽和為止。